“好。”
回归科研工作的h修远，带着十几个研究员，尝试让氧化硼、氧化铝、氧化铜，形成纳米线。
在材料实验室中。
一台七边氧化硅—筛合器，漏斗状的上侧容器里面，装满了氧化硼粉末。
这些氧化硼（三氧化二硼）粉末，都是经过过筛的单分子状态，也是最适合作为合成原材料的状态。
由於氧化硼一般以无定形状态存在，通常难以形成晶T，但是经过高强度退火後，也可以形成晶T。
尝试了十几次後，h修远改进了实验加热方式，采用了激光器聚焦在七边氧化硅的喷出口处。
这是一个非常JiNg细的工作，连续烧毁了上百张七边氧化硅薄膜後，才调试出合格的位置。
激光器聚焦的位置，距离七边氧化硅的喷出口，仅仅只有23纳米左右，这个距离已经是极限了。
倒不是不可以继续b近，而是再靠近喷出口，激光会迅速烧毁七边氧化硅薄膜。
就算是这个距离，一张七边氧化硅薄膜，也最多只能连续工作10～12个小时，就会彻底报废。
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